美研究人员取得定向自组装半导体制程突破【亚博官方手机版】

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美国国家标准与技术研究所(NIST)和国际商用机器公司的研究人员开发了一种挖沟技术,可以通过直接组装来制造组件。研究人员回应说,金纳米粒子可以像雪铲一样,在磷化铟或其他半导体材料上搅动,形成纳米地下隧道。这项技术有望用于在所谓的芯片实验室设备上集成激光器、传感器、波导等光学元件,为疾病诊断、实验材料和药物测试、DNA测试等提供支持。

无意中发现了挖掘黄金粒子地下通道的能力,在一个以污染物结束的纳米线成分实验中;NIST的一位化学研究员BabakNikoobakht回应道:起初,我们非常沮丧,但研究小组发现污染物是水。实验的扫描电子显微镜图像显示,金纳米粒子与水蒸气融合,形成了一条又长又直的纳米地下通道。磷化铟半导体表面定向纳米地下沟道的电子显微镜图像:这些纳米地下隧道是由金催化剂的气-液-固传递过程形成的,其方向由沉积的金图案(来源:NIST)确定。

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接下来,研究小组确定了构建转移过程所需的化学机制和必要条件,并选择性地在半导体表面填充金并冷却。一旦冷却完成,底层的磷化铟就不会带入金纳米粒子形成金合金。他们随后将冷却后的水蒸气引入系统,发现当水蒸气温度超过440摄氏度时,不会形成长长的V型纳米地下通道;这些地下隧道下的直线路径由晶体半导体中规则的重复晶格所支配。研究人员还可以将上述技术应用于也属于三、五类的鸡粪和砷简化indiumarsenide这种化合物半导体用于制造LED,或者为通信和高速电子提供支持。

Nikoobakht回应说,他坚信这种转移过程经过调整后可以用于在硅等材料上制作地下隧道图案。【亚博app下载安装】。

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